美国银行：全球存储技术：SK海力士4Q营业利润展望乐观，DRAM现货再次上涨，MLCC/FC-BGA上行空间

原标题：Global Memory Tech: Weekly theme: Hynix’s 4Q OP likely upbeat, DRAM spot up again, MLCC/FC-BGA upside

摘要

美国银行上调SK海力士目标价至110万韩元，基于更乐观的盈利展望。报告上调4Q25 DRAM ASP环比涨幅预测至+23%（原+17%），1Q26为+21%。HBM价格稳定，常规DRAM在4Q25-1Q26每季涨幅超30%。新预测显示SK海力士4Q25营业利润为17.9万亿韩元（高于共识10%），1Q26为22.5万亿韩元（高于共识10%），但2026全年为96万亿韩元（低于共识7%）。2026年EPS上调12%，DRAM ASP上调9%。DRAM现货价格继续上涨，16Gb DDR5周涨5%，8Gb DDR4涨6%，4Gb DDR3涨10%。三星电机（SEMCO）给出乐观指引，MLCC、FC-BGA和汽车订单增长强劲。

主要观点

• SK海力士4Q25营业利润预测上调至17.9万亿韩元（原16.5万亿），1Q26上调至22.5万亿韩元（原19.6万亿），但2026全年预测96万亿韩元低于共识103万亿。
• 上调DRAM ASP假设：4Q25环比+23%（原+17%），1Q26环比+21%。HBM占DRAM销售40%以上，价格稳定；常规DRAM在4Q25-1Q26每季涨幅超30%。
• 2026年EPS预测上调12%，主要因DRAM ASP上调9%。
• 目标价从100万韩元上调至110万韩元，基于2026年预期市净率4.1倍（原3.9倍），美光交易在5倍FY26 BPS。
• 预计1月29日4Q财报电话会议将给出乐观指引：HBM4量产（领先竞争对手2-3个季度）、1c节点DRAM量产（领先三星）、常规DRAM涨价等。资本支出增加但包含非WFE支出。
• DRAM现货价格继续上涨：16Gb DDR5周涨5%，8Gb DDR4涨6%，4Gb DDR3涨10%。年初至今/月环比涨幅20-30%+，季度环比涨幅100%+。
• 现货交易量极小，价格已占低端PC/智能手机BOM的50-100%。TrendForce预测1月合约价环比涨30-40%（12月仅10-15%+）。
• 检查显示1月美国大型科技公司常规DRAM（含DDR5）涨价20-30%。DRAM供应短缺担忧加剧，未见立即降价迹象。
• 三星电机（SEMCO）4Q25电话会议给出乐观指引：AI服务器MLCC含量增长（可能50万颗，目前20-30万颗）；更贵的FC-BGA基板需求来自美国大型科技公司；汽车MLCC/基板订单增长（自动驾驶）。
• SEMCO强调玻璃基板（2025-26年后试点）和机器人新增长机会，DRAM短缺影响有限（低端减产，高端正常生产，包括三星GS26）。

论述逻辑

报告从SK海力士盈利预测上调出发，核心驱动力是DRAM ASP假设上调（4Q25和1Q26），HBM价格稳定且常规DRAM涨幅强劲。基于此，营业利润和EPS预测上调，目标价随之提高。同时，DRAM现货价格持续上涨且供应短缺担忧加剧，支撑涨价趋势。三星电机的乐观指引进一步印证AI需求带动MLCC、FC-BGA等组件短缺，形成从存储到组件的全面上行周期。

关键展望

• SK海力士4Q25财报电话会议（1月29日）预计给出乐观指引，包括HBM4量产、1c节点DRAM量产、常规DRAM涨价等。
• DRAM现货价格短期内未见回调迹象，但交易量极小，价格已处高位。
• 三星电机指引显示MLCC、FC-BGA和汽车订单增长，玻璃基板为2025-26年后机会。
• 报告未明确给出未来验证点或时间窗口。

推荐标的

• SK海力士：目标价从100万韩元上调至110万韩元，基于2026年预期市净率4.1倍。评级未明确，但上调目标价表明看好。
• 三星电机：报告提及但未给出目标价或评级，仅引用其乐观指引。
• 美光：提及交易在5倍FY26 BPS，但未给出目标价或评级。

关键图表

报告未提供可裁切的关键图表。