野村:三星电子:存储之王归来:上调目标价至29万韩元,HBM4高速版溢价30-40%
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摘要
野村维持三星电子(005930.KS)买入评级,目标价从22万韩元上调至29万韩元,隐含62.4%上行空间。报告指出,2026年一季度商品存储价格涨幅远超预期,DRAM/NAND分别环比上涨90%/60%(此前预测+56%/+40%)。三星HBM4采用1C节点核心晶圆和4nm基板,性能优于竞争对手但成本更高;由于部分客户要求速度超过11.7Gbps,而供应有限,高速HBM4有望获得30-40%的定价溢价。野村上调2026年HBM出货量增速至同比+144%(此前+112%),并预计1Q26营业利润达47.38万亿韩元(环比+136%),远超此前预测的36.37万亿韩元。2026/27年营业利润预测上调至243万亿/322万亿韩元,ROE达42%。目标价基于3.0倍市净率(此前2.5倍)和12个月BVPS 97,479韩元。风险包括未能向英伟达供应HBM4。
主要观点
- 野村维持三星电子买入评级,目标价从22万韩元上调至29万韩元,隐含62.4%上行空间。
- 2026年一季度商品DRAM/NAND价格环比上涨90%/60%,远超野村此前预测的+56%/+40%。
- 三星HBM4通过1C节点制造核心晶圆、采用4nm基板,性能优于竞争对手但生产成本更高。
- 部分客户要求HBM4速度超过11.7Gbps,而供应商供应有限,高速HBM4有望获得30-40%的定价溢价。
- 低速HBM4同样供应紧张,因此不会对存储公司构成折价因素。
- 野村预计三星将从高速HBM4市场受益并提升市场份额,将2026年HBM出货量增速从同比+112%上调至+144%。
- 预计1Q26营业利润为47.38万亿韩元(环比+136%,同比+609%),大幅高于此前预测的36.37万亿韩元。
- 尽管商品存储价格增速预计从2Q26起放缓,但HBM均价将因HBM4占比提升而环比上升。
- 2026/27年营业利润预测上调至243万亿/322万亿韩元(同比+457%/+33%),ROE均为42%,高于此前预测的34%/35%。
- 目标价基于3.0倍目标市净率(此前2.5倍)和12个月BVPS 97,479韩元,参考2002-2006年NAND繁荣期超30%ROE时的历史市净率水平。
- 当前股价对应2026年市净率2.0倍;若非存储业务恢复竞争力,ROE可能结构性提升,但野村认为可能性仍低;若股东回报计划进一步改善,市净率水平可能相对于ROE进一步重估。
论述逻辑
商品存储价格在1Q26大幅上涨(DRAM +90% q-q, NAND +60% q-q)→ 三星HBM4性能优于竞品但成本更高 → 高速HBM4(>11.7Gbps)供应有限,可获得30-40%溢价 → 三星受益于高速HBM4市场并提升份额 → 上调HBM出货量增速和ASP预测 → 1Q26营业利润大幅超预期 → 上调2026/27年盈利预测和ROE → 基于更高ROE和竞争力恢复,上调目标市净率至3.0倍 → 目标价从22万韩元上调至29万韩元。
关键展望
- 报告明确:商品存储价格增速预计从2Q26起放缓,但HBM均价将因HBM4占比提升而环比上升。
- 现有股东回报计划于2026年到期,预计2027年起实施新计划,可能采用更易预期的派息目标(股东回报/净利润比率),而非50%自由现金流方案。
- 风险:未能向英伟达供应HBM4。
推荐标的
- 三星电子(005930.KS):评级买入,目标价29万韩元(此前22万韩元),2026年2月12日收盘价178,600韩元,隐含上行62.4%。理由:商品存储价格超预期上涨、HBM4竞争力恢复、盈利和ROE前景改善。
关键图表
报告未提供可裁切的关键图表。