爱普科技：先进封装进入“嵌入式电容时代”：AP Memory揭秘AI供电架构演进路线图

原标题：AP Memory Technology Corporation Conference

介绍

先进封装进入“嵌入式电容时代”：AP Memory揭秘AI供电架构演进路线图

🔷AI算力升级催生供电革命，高密度嵌入式电容迎来爆发机遇

🔷从S-SiCap到IVR架构，AP Memory卡位下一代先进封装核心赛道

在AI算力持续飙升的今天，行业关注的焦点往往集中在GPU、HBM和先进封装产能上，但真正决定下一代AI芯片性能上限的，或许是那些隐藏在封装内部的关键基础组件。

在AP Memory的会议资料中，我注意到两张非常值得深入研究的技术路线图——

一张聚焦S-SiCap在先进封装中的应用，

另一张则揭示了AI芯片供电架构向IVR演进的趋势。

在我看来，这不仅仅是一项电容技术的升级，更是一场围绕AI时代电源完整性（Power Integrity）和先进封装架构的深层变革。从Silicon Interposer到ABF载板，从Chiplet到HBM封装，高密度嵌入式电容正在成为下一代AI系统不可或缺的关键环节。

而AP Memory也正在借助S-SiCap技术，从一家存储芯片厂商逐步走向AI先进封装与供电基础设施的新赛道。

关键图表

报告未提供可裁切的关键图表。