高盛：中国存储芯片：专家电话会议要点：产能、产品、价格；买入中国 SPE

摘要

高盛于 2026 年 7 月 24 日举办中国存储芯片专家电话会，聚焦国内 DRAM 产能扩张、产品迭代与存储价格趋势。 专家认为国内 DRAM 行业龙头年产能到 2030 年有望较当前翻倍以上，合肥、上海、北京的扩产项目将于 2028 年前全部建成投产，另有一座超大型基地在 2028 年后开始贡献产能。 新产能建设中部分工厂除光刻等高端设备外主要使用国产工艺设备，印证高盛对中国半导体工艺设备（SPE）的正面看法。 产品方面，国内龙头制程升级带来持续进步但仍落后全球同行，HBM3 及 3E 仍是 2026 年量产目标；受 EUV 限制，厂商需依赖 DUV 或创新工艺路线，3D DRAM 有望在 2027 年取得新突破。 价格方面，国内 DRAM 报价已与全球供应商相当，2026 年三四季度涨幅预计较上半年收窄，但 AI 需求强劲支撑 2027 年价格继续上行；全球供应商短期内不会将 HBM 产能转回传统 DRAM，长期合约有助于价格稳定。 高盛维持买入 Naura、AMEC、ACM Research、Kematek。

主要观点

• 国内 DRAM 行业龙头的年产能到 2030 年有望较当前水平翻倍以上

• 合肥、上海、北京的产能扩建项目预计在 2028 年前全部建成运营，另有超大型基地在 2028 年后开始贡献产能

• 新增 DRAM 产能在使用全球一流设备的同时也采用国产设备，部分工厂除光刻等高端设备外主要使用国产工艺设备

• 国内龙头制程升级带来产品开发进展，但 DRAM 产品在速度等方面仍落后全球同行

• HBM3 及 3E 仍是国内龙头 2026 年的量产目标

• 受 EUV 限制，国内厂商需使用 DUV 或其他创新工艺开发 3D DRAM 等高端产品，3D DRAM 有望在 2027 年取得新进展

• 国内供应商 DRAM 报价已与全球一流供应商基本持平，尽管良率可能较低

• 2026 年三四季度存储价格涨幅预计较上半年收窄，主因手机品牌厂商对高成本反弹抵触

• 国内外 AI 需求强劲，支撑 2027 年存储价格继续上涨

• 全球供应商短期内不会将 HBM 产能转回传统 DRAM，且长期合约增多有利于价格稳定

• 高盛看好中国半导体工艺设备，预计将受益于本地晶圆厂和存储厂未来数年的产能扩张及国产设备渗透提升

论述逻辑

• 专家电话会确认国内 DRAM 产能将在合肥、上海、北京等多地扩张并于 2028 年前投产 → 新增产能部分采用国产工艺设备、部分工厂除光刻外几乎全部国产化 → 国产工艺设备渗透率持续提升 → 高盛覆盖的 Naura、AMEC、ACMR、Kematek 等中国半导体工艺设备公司将直接受益于本地晶圆厂和存储厂资本开支周期 → 维持买入评级

• AI 需求强劲 → 全球供应商不将 HBM 产能转回传统 DRAM + 更多长期合约签订 → 存储价格趋于稳定且 2027 年继续上涨 → 对存储行业及上游设备投资形成正面支撑

关键展望

• 国内 DRAM 产能扩张持续推进，合肥、上海、北京项目 2028 年前全部投产，超大型基地 2028 年后贡献产能

• HBM3 及 3E 是国内龙头 2026 年的量产目标

• 3D DRAM 产品开发有望在 2027 年取得新进展

• 2026 年三四季度存储价格涨幅较上半年收窄，但 2027 年在 AI 需求支撑下价格继续上涨

推荐标的

• NAURA（北方华创）：买入，当前价 Rmb757.00

• AMEC（中微公司）：买入，当前价 Rmb388.50

• ACM Research（盛美半导体）：买入，当前价 $88.42

• Kematek（至纯科技）：买入，当前价 Rmb94.60

关键图表

报告未提供可裁切的关键图表。