伯恩斯坦：欧洲半导体：ASML 高 NA EUV 入门解读：制程微缩永不停歇

摘要

伯恩斯坦发布 ASML 高 NA EUV 入门报告，认为逻辑与 DRAM 制程节点持续微缩、光刻是驱动微缩的中心环节，高 NA（HNA）是下一步实现更小微缩的工具，经过十余年研发后正接近量产导入，可能自 2027 年起。 HNA 采用全新 0.55 NA 变形光学系统，在保持 13.5nm EUV 波长不变下将分辨率从约 13nm 提升至 8nm，带来更小特征、更低剂量、更少掩膜与更简流程，但曝光场大致减半损害产出并对大型逻辑芯片引入拼接要求，因此其经济性须在整套图形化流程层面而非单看扫描机 WPH 评估。 成本上，DRAM 无需拼接、HNA 已比 LNA 双重成像便宜，逻辑中 1 次 HNA 单曝已比 3 次 LNA 曝光便宜但仍贵于 2 次 LNA 双重成像。 报告预计 DRAM 率先更广泛采用，由三星与 SK 海力士在 2027 年前后（D1d）引领，逻辑采用在 2028 至 2030 年间渐进扩大；英特尔已在 18A 展示 HVM 就绪并可能在 A14 扩大使用，三星与台积电更可能在 2030 年前后 A10 级节点采用。 战略含义是光刻强度上升：整体光刻强度将从 24% 升至 26%，DRAM 在 1d 引入双重成像 EUV 或 HNA 后升至约 30%；逻辑中 HNA 令关键层从 LNA 多重成像转向单次曝光，成本收益约 20% 至 35%，DRAM 15nm 接触孔 3 次曝光可由 1 次 HNA 替代并削减成本 30%。 报告重申 ASML 跑赢大市评级。

主要观点

• HNA 采用全新 0.55 NA 变形光学系统，在保持 13.5nm EUV 波长不变的情况下，将分辨率从约 13nm 提升至 8nm 并提高成像对比度，带来更小特征、更紧图形控制、更低剂量、更少掩膜与更简流程

• 变形设计将曝光场大致减半，损害产出并对大型逻辑芯片产生拼接要求；ASML 以更快的晶圆与掩膜台、更低剂量及路线图产出改善部分抵消

• HNA 经济性须在整套图形化流程层面评估：逻辑中 1 次 HNA 单曝已比 3 次 LNA EUV 曝光便宜但仍贵于 2 次 LNA 双重成像；DRAM 无需拼接，HNA 已比 LNA 双重成像便宜

• 预计 DRAM 率先更广泛采用 HNA，由三星与 SK 海力士在 2027 年前后（D1d）引领；逻辑采用将在 2028 至 2030 年间更渐进扩大

• 英特尔已在 18A 上展示 HNA 的 HVM 就绪并可能在 A14 扩大使用；三星与台积电更可能在 2030 年前后 A10 级节点采用 HNA

• 更慢的 HNA 采用并不削弱其经济性，甚至可能通过延长高利润率 LNA 工具需求在短期内利好 ASML

• 光刻强度已结构性上移至历史水平之上：从 2022 年的 17% 升至 2023 年的 25%，随后随 EUV 在逻辑与 DRAM 中渗透而稳定在 23% 至 24%；ASML 2025 年保持 90% 以上光刻市场份额

• ASML EUV 产品路线图产出显著提升：3800F 预计达 260 WPH，4200G 达 300 WPH，2030 年后发布的 4200H 达 330 WPH；EUV 光源功率从当前 500-600W 向已演示的 740W 与已披露的 1000W 能力推进

• HNA 曝光成本随可用性改善大幅下降：可用性达 95% 时单次曝光成本下降 23%，从约 82 欧元降至约 63 欧元（2030E）；2025 年 HNA 单曝光刻设备成本为 LNA 的 2.4 倍（AA、1 掩膜）与 3.1 倍（AB、2 掩膜），到 2030 年预计收窄至 1.9 倍与 2.1 倍

• 整体光刻强度将从 24% 升至 26%：DRAM 从 1Y/1Z 时代约 20% 升至 1c 的 26%（EUV 曝光次数从 1a 的 3-4 次增至 1c 的 6-7 次），1d 引入双重成像 EUV 或 HNA 后预计升至约 30%；逻辑在 5nm/3nm 峰值超 35% 后因 GAA 回落至约 32%

• 逻辑中 HNA 令关键局部互连、通孔与金属层从 LNA 多重成像转向 HNA 单次曝光，成本收益约 20% 至 35%；DRAM 中 15nm 接触孔所需的 3 次曝光可由 1 次 HNA EUV 步骤替代，成本削减 30%

• 战略含义是更高的光刻强度：ASML 估算单次曝光 HNA 相对 LNA 多重成像带来约 1.2 倍的光刻强度提升，价值从非光刻步骤（刻蚀、沉积、清洗）转入光刻，报告重申 ASML 跑赢大市

论述逻辑

• 起点：逻辑与 DRAM 制程节点持续微缩，光刻处于驱动微缩的中心舞台，HNA 是下一步实现更小微缩的工具

• 技术推演：193nm 浸没式已达极限后 EUV（13.5nm）接棒，HNA 以 0.55 NA 变形光学将分辨率从约 13nm 提升至 8nm

• 权衡：性能收益明确，但半场架构损害产出并要求大逻辑芯片拼接，故成本须在整套图形化流程层面评估

• 成本结论：DRAM 无拼接、HNA 已比 LNA 双重成像便宜；逻辑中 1x HNA SE 已比 3x LNA 曝光便宜，成本劣势集中在可用性与产出尚未成熟

• 采用路径：据此推断 DRAM 于 2027 年前后（三星/SK 海力士 D1d）率先采用，逻辑 2028-2030 渐进（Intel 18A 已验证、A14 扩大，三星/台积电 A10 级约 2030）

• 成本改善：随可用性升至 95%，HNA 单曝成本从约 82 欧元降至约 63 欧元，成本曲线随产出与稼动率改善而显著下行

• 战略传导：HNA 降低客户总图形化成本，但把更多价值转入光刻——1 次 HNA 替代多次 LNA 与非光刻步骤，光刻强度约提升 1.2 倍

• 落点：ASML 同时受益于 DRAM 与逻辑的更高资本开支与光刻强度，报告重申跑赢大市评级

关键展望

• DRAM 制造商可能在 2027-2028 年 1d 节点开始采用 HNA，届时最小特征尺寸预计达到 10nm

• HNA 在 A14 对关键逻辑层达到成本可负担：HVM A14 时约 18% 改善，未来可扩展性约 24%

• 到 2030 年，先进逻辑预计使用约 25 至 30 次 EUV 曝光，其中平均约 4 至 6 次为 HNA 曝光

• EUV 光源功率预计 2030 年前后达到 1000W，公司已于 2026 年 2 月演示实现该里程碑的路径

• 在 HNA 进入量产之前，Hyper NA（超 NA）下一代 EUV 系统的研发工作已经开始

• ASML：重申跑赢大市评级，评级历史显示最新目标价 2500 欧元（2026 年 7 月 20 日）

推荐标的

• ASML Holding NV（ASML.NA）：跑赢大市，最新目标价 €2,500.00；理由是逻辑与 DRAM 资本开支及光刻强度上升，HNA 单次曝光替代多次 LNA 与非光刻步骤、将更多价值转入光刻设备