建筑装饰行业洁净室专题（二）：从存储研判洁净室远期空间

摘要

财通证券发布建筑装饰行业洁净室专题第二篇，维持行业“看好”评级，核心判断是存储有望于2028年转为结构性紧缺、远期洁净室空间依旧广阔。 2025年全球DRAM与NAND销售收入分别为1536亿和711亿美元（同比+60.2%、+8.4%），2026年预计分别同比+302.8%、+280.6%至6187亿和2706亿美元，1Q26两者价格环比分别上涨80%—85%、85%—90%。 需求端HBM动能最强，全球HBM需求量预计由2025年的2594MGB增至2028年的9783MGB，CAGR约55.7%；NAND需求增量向数据中心集中（2025—2028年CAGR约46%）。 供给端DRAM投片产能由2025年的196.6万片/月增至2026年的218.1万片/月（+10.9%），2027—2030年预计分别新增21.7、55.0、50.2、12.6万片/月并于2028—2029年集中释放，NAND 2026年产能小幅降至133万片/月。 供需上DRAM供给偏紧预计延续至2027年、2028年投片产能+22.9%有望阶段性缓解，NAND紧张预计延续至2027H1。 远期洁净室扩容来自AI服务器扩产（增量维持20%假设下每年约637万颗GPU及配套HBM需求缺口）、先进封装升级（玻璃基板、CoWoS、SoIC、混合键合、Chiplet）及单位价值量提升（洁净室造价由ISO 8的150—250美元/平方英尺升至ISO 4及更高等级的800—1500美元/平方英尺以上）。

主要观点

• 核心判断：存储有望于2028年转为结构性紧缺，若按期投产并顺利爬坡，2028年HBM供给偏紧格局有望持续，DRAM及NAND供给紧俏格局有望相对缓解，远期洁净室空间依旧广阔。

• 存储收入快速扩张：2025年全球DRAM和NAND销售收入分别为1536亿和711亿美元（同比+60.2%、+8.4%），2026年预计分别同比+302.8%、+280.6%至6187亿和2706亿美元，合计8893亿美元；两者合计占2025年独立式存储市场约97%。

• 价格加速上涨：4Q25 DRAM（含HBM）与NAND价格分别环比+50%—55%、+33%—38%，1Q26分别环比+80%—85%、+85%—90%，2026Q2E进一步环比+58%—63%、+70%—75%，AI推理与数据中心建设推动NAND开启价格补涨。

• 竞争格局高度集中：2026Q1全球DRAM市场中三星、SK海力士、美光收入份额分别为38%、29%和22%，CR3约89%；SK海力士以58%份额占据HBM市场主要份额；NAND则形成六家头部厂商较为均衡的竞争格局。

• HBM需求增长最强：全球HBM需求量预计由2025年的2594MGB增至2028年的9783MGB（CAGR约55.7%），2026—2028年分别同比+73.5%、+61.0%、+35.0%；NVIDIA DGX B300整机HBM容量2304GB，达H100（640GB）的3.6倍，2026年AI服务器出货量同比约+31%、快于整体服务器的+17%。

• NAND需求向数据中心集中：NAND需求量将由2025年的997EB增至2028年的1807EB（CAGR约22%），其中数据中心需求由295EB增至909EB（CAGR约46%）；2025—2028年推理场景NAND需求CAGR约86%，明显高于训练场景和传统应用的16%。

• 供给端节奏：DRAM投片产能由2025年196.6万片/月增至2026年218.1万片/月（+10.9%），2027—2030年预计分别新增21.7、55.0、50.2、12.6万片/月并于2028—2029年集中释放，2030年达357.6万片/月（CAGR约12.7%）；NAND 2026年产能由136.5万片/月小幅降至133万片/月，2027年主要依靠现有厂房提产、2028—2029年再转向新厂投产。

• HBM挤压普通DRAM供给：HBM占三大原厂DRAM投片量的比例预计由2025年的18%升至2026年的22%、2027年约30%，同期存储容量占比仅约8%、9%、13%，生产相同存储容量的HBM所需晶圆约为普通DRAM的2.5—2.9倍，普通DRAM可用供给空间受到挤压。

• 短期供需偏紧：三星、SK海力士和美光实际投片量合计由2025年1716万片增至2026年1816.5万片（同比+5.9%），2026Q2原厂库存已处极低水平；DRAM供给偏紧预计延续至2027年，2028年投片产能预计+22.9%、超过需求增速+17.6%，有望阶段性缓解；NAND供给紧张预计延续至2027H1、2027H2逐步缓解。

• 远期量增靠AI服务器：AI服务器出货量由2022年约86万台增至2025年约209万台（CAGR 34.4%，2025年同比+24%）；若2027年及之后AI服务器增量维持20%，2027—2030年每年增加需求缺口约637万颗，2026—2030年GPU及配套HBM预计合计增加2348万颗，2030年出货567万台对应4535万颗。

• 先进封装接力驱动：玻璃基板、CoWoS、SoIC、混合键合、Chiplet等技术通过提升封装内部逻辑芯片、HBM、I/O及中介层集成密度，拉动前道晶圆制造与后段封测协同扩产；Absolics玻璃基板一期年产12000㎡、二期72000㎡，2027年量产；台积电CoPoS规划5—8条产线，预计2028年底至2029上半年量产；马斯克Terafab项目为远期观察变量。

• 价值量提升：按新建10万片/月产能，1Y DRAM与9X层3D NAND晶圆制造设备投资均约70亿美元，升级至1b DRAM与2XX层3D NAND后提高至约90亿美元（增幅约29%）；据LabPro统计美国市场数据，洁净室单位造价由ISO 8的150—250美元/平方英尺提高至ISO 4及更高等级的800—1500美元/平方英尺以上。

论述逻辑

• 大模型迭代与云厂商资本开支扩张 → AI服务器出货量高增（2026年同比约+31%，快于整体服务器约+17%）且单机HBM容量随代际跃升（DGX B300为H100的3.6倍）→ HBM/DRAM/NAND需求与价格快速上行（1Q26环比+80%—85%/+85%—90%）→ 存量晶圆厂可用洁净空间有限、新建产能需经厂房建设—设备导入—爬坡，三大原厂2026年实际投片量仅+5.9%、2026Q2库存降至极低水平 → 短期供给偏紧，倒逼存储资本开支向DRAM倾斜（2026年DRAM资本开支+14%高于NAND的+5%）→ 报告逐厂统计2027—2030年新增产能（DRAM分别新增21.7、55.0、50.2、12.6万片/月），得出2028—2029年集中释放、2028年DRAM供需阶段性缓解而HBM偏紧持续的判断 → 扩产落地对应新建洁净室需求，叠加AI服务器20%增量假设带来的每年约637万颗需求缺口、先进封装（玻璃基板/CoWoS/SoIC等）拉动前道与封测协同扩产、ISO等级提升带来单位造价跃升 → 结论为洁净室远期空间依旧广阔，维持建筑装饰行业“看好”评级。

关键展望

• DRAM供需增速错配预计延续至2027年（需求+19.2% vs 投片产能+10.2%），2028年随三星平泽P5、SK海力士龙仁Fab 1及美光项目释放，投片产能预计+22.9%超过需求增速+17.6%，供需压力有望阶段性缓解。

• HBM需求增长仍快于有效供给释放，2027年供给预计维持偏紧，部分新增产能或于2028年形成显著产出；2027年多个先进封装项目将陆续投产。

• NAND供给紧张预计延续至2027H1，随着制程升级、现有厂区扩产及新设备导入，2027H2有望逐步缓解。

• 验证点一：若2027年及之后AI服务器增量维持20%，2028年后GPU及配套HBM有望维持相同增速，2030年较2028年存在GPU及配套HBM需求缺口约1386万颗；SEMI预计全球300mm晶圆厂设备支出2026/2027年分别同比增长25%/11%，Logic & Micro在2027—2029年投资规模预计高于存储。

• Terafab项目（面向Tesla、SpaceX及xAI的算力需求，规划逻辑、存储、封装和测试一体化制造）目前技术路线、投资节奏、客户外溢性仍不明确，短期作为远期增量观察变量而非纳入确定性测算。

• 风险提示：宏观经济波动风险（或致半导体资本开支收缩）、半导体扩产不及预期、测算偏差风险（部分混合生产厂房尚未明确产品配置及远期产能）。

推荐标的

• 报告未明确给出推荐标的；本篇为行业专题报告，对建筑装饰行业维持“看好”评级（行业相对表现优于同期市场代表性指数，基准沪深300）。报告梳理的产业链主体包括三星、SK海力士、美光、长鑫、长江存储、铠侠/闪迪、台积电、格芯、UMC、Absolics、京东方A等，均为行业分析对象而非评级覆盖标的。