芯联汇：当6F²走向极限：三星3D DRAM如何开启存储器的第三维度？

原标题：Beyond 6F2 Scaling Frontiers and the Evolution Towards Future DRAM Architectures

介绍

当6F²走向极限：三星3D DRAM如何开启存储器的第三维度？

🔷6F²时代正在逼近物理边界，传统DRAM缩放红利逐渐消失

🔷垂直堆叠、Vertical BL与晶圆键合协同突破，开启存储器第三维度竞争时代

过去二十多年里，DRAM产业几乎一直遵循着同一条发展逻辑：通过不断缩小存储单元尺寸来提升容量密度。从90nm到10nm级节点，从8F²到6F²，存储产业一次次突破工艺极限，也支撑了智能手机、云计算以及AI时代的数据爆发。然而，当制程逼近物理边界之后，一个越来越现实的问题摆在所有存储厂商面前：DRAM还能继续缩下去吗？

最近，小编在研读这份技术报告时发现，三星正在提出一个颇具颠覆性的观点：未来DRAM的发展方向或许不再是“把单元做得更小”，而是“把单元做得更大，然后向上堆叠”。换句话说，DRAM正在经历一场类似当年NAND Flash从二维走向三维的架构革命。

在三星看来，传统二维缩放已经遭遇存储电容下降、字线电阻升高以及Row Hammer可靠性恶化等多重挑战，而3D DRAM则有望通过垂直堆叠释放横向空间限制，让存储单元重新变得“宽一些、厚一些、远一些”，从根本上改善性能、功耗和可靠性问题。与此同时，垂直位线（Vertical BL）、超高层外延通道堆叠以及晶圆级键合等关键技术，也正在为这一全新架构铺平道路。

如果说3D NAND定义了过去十年的存储产业，那么未来十年，3D DRAM或许将成为决定AI时代存储竞争格局的下一张王牌。今天，小编就带大家一起拆解三星这份技术报告，看看DRAM如何从“6F²时代”迈向真正的三维存储新时代。

关键图表

报告未提供可裁切的关键图表。