2026-07-07 · Goldman Sachs · 公司/行业基本面

高盛：英诺赛科（2577.HK）：800V DC推动GaN在AI数据中心的应用；首次覆盖给予买入评级，目标价114港元

摘要公开阅读；PDF 仅限有效会员阅读与下载，所有会员权限相同。邮件登录

原标题：InnoScience (2577.HK): 800 VDC to drive GaN in AI data centers; initiate at Buy with TP at HK$114

摘要

高盛首次覆盖英诺赛科（2577.HK），给予买入评级，12个月目标价114港元，较当前股价54.95港元有107.5%上行空间。英诺赛科是氮化镓（GaN）供应商，覆盖消费电子、汽车、数据中心、工业和人形机器人领域。高盛预计公司GaN收入在2025-28E年实现73%的复合年增长率，驱动因素包括：GaN在数据中心电源中的渗透率提升、应用从快充扩展到汽车等高端领域、以及晶圆产能扩张。目标价基于2030E贴现EV/EBITDA，对应29.5倍目标倍数，隐含22倍2027E市销率，而2027E-28E平均收入增速为68%。主要风险包括GaN采用慢于预期、竞争加剧、产能爬坡延迟。

主要观点

英诺赛科是领先的GaN供应商，覆盖消费电子、汽车、数据中心、工业和人形机器人。
预计2025-28E年GaN收入复合年增长率达73%，受三大因素驱动：数据中心电源中GaN渗透率提升、应用从快充扩展到汽车（车载充电器、LiDAR）、工业、数据中心和人形机器人，以及晶圆产能扩张。
总产能预计到2029年底超过6.8万片/月。
首次覆盖给予买入评级，12个月目标价114港元，基于2030E贴现EV/EBITDA，目标倍数29.5倍。
目标价隐含22倍2027E市销率，对应2027E-28E平均收入增速68%。
GaN器件具有高频、低损耗、高性价比特点，正从快充向汽车、工业、数据中心扩展。
随着代理工作流和加速计算兴起，GaN可提升系统性能、效率和密度。
英诺赛科提供高、低压产品组合，涵盖晶圆、分立器件和模块，服务全球领先客户。
催化剂包括：800V DC推广、苏州新产能爬坡、规模扩大带来的利润率提升、以及人形机器人等新应用。
关键风险：GaN采用慢于预期、GaN产品价格竞争加剧、新产能爬坡时间长于预期。

论述逻辑

高盛认为，AI数据中心对超高功率密度和超高效率的需求将推动GaN渗透率提升，同时英诺赛科从消费电子快充向汽车、工业、数据中心和人形机器人等高端应用扩展，叠加晶圆产能扩张（到2029年底超6.8万片/月），将驱动收入高速增长（2025-28E CAGR 73%）。基于此，高盛采用2030E贴现EV/EBITDA估值，参考同业交易倍数（EV/EBITDA相对远期EBITDA增速），给予29.5倍目标倍数，得出12个月目标价114港元，隐含107.5%上行空间。