美国银行：全球存储芯片技术：4Q财报电话会议要点、Semicon Korea人气旺盛、现货价格稳定

原标题：Global Memory Tech: Weekly theme: 4Q earnings call takeaways, crowded Semicon Korea, stable spot price

摘要

美国银行在2026年2月13日的报告中总结了存储芯片公司4Q25财报电话会议的五大要点：库存周转天数极低（如SK海力士仅127天，远低于1Q23峰值233天），ASP强劲（三星DRAM环比+40%，SK海力士NAND环比+32%），资本支出激进（SK海力士季度资本支出12万亿韩元，对比3Q25的5万亿和4Q24的7万亿），HBM4量产/出货执行良好，以及1Q26及长期（存储超级周期）的乐观指引。南亚科技总裁评论称当前周期因AI远好于2017-18年云繁荣，且存储仍为大宗商品，若短缺持续至2027年ASP可进一步上涨。美银存储指标在12月数据后回升至上行周期水平124，而1H25平均仅103。苹果供应链公司4Q业绩稳健且1Q动能超季节性，但中国国内智能手机出货量12月仅2300万部，同比-29%。DRAM现货价格本周稳定，NAND现货涨势近期趋缓，但SSD产品价格本周环比+40%、环比+60%。Semicon Korea参会人数创纪录（500+），设备商指出三星和SK海力士资本支出创新高、HBM制造周期长（TCB设备每台每天仅几片晶圆）、HBM混合键合可能延迟、后端设备订单波动大、对中国的TCB出口可观。韩国2月前10天半导体出口同比+138%，台湾1月存储公司销售环比增长20%以上（南亚科技+27%、群联+20%等）。

主要观点

• 存储芯片公司4Q25库存周转天数极低：SK海力士仅127天，对比1Q23峰值233天，成品模块库存仅2-3周（正常10周以上）。
• ASP强劲：三星电子DRAM环比+40%，SK海力士NAND环比+32%。
• 资本支出激进：SK海力士季度资本支出12万亿韩元，远高于3Q25的5万亿和4Q24的7万亿。
• HBM4量产/出货执行良好：三星和SK海力士均进展顺利。
• 管理层对1Q26及长期（存储超级周期）指引乐观。
• 南亚科技总裁：当前周期因AI远好于2017-18年云繁荣；存储仍为JEDEC标准大宗商品，若短缺持续至2027年ASP可进一步上涨。
• 美银存储指标（Memory Indicator）12月数据后回升至124（上行周期），1H25平均仅103（中周期）。
• 苹果供应链公司4Q业绩稳健，1Q动能超季节性，受存储短缺影响小。
• 中国国内智能手机出货量12月仅2300万部，同比-29%，明显走弱。
• DRAM现货价格本周稳定，成交量小；部分OEM因存储成本上升/短缺暂停低端手机/平板/PC组装线。
• 但三大DRAM原厂向一级OEM和大型科技公司的芯片出货量仍超季节性，且ASP高。
• 台湾1月存储公司销售环比增长20%以上（南亚科技+27%、群联+20%、华邦+21%），同比增幅巨大（南亚科技+608%、群联+189%）。
• 韩国2月前10天半导体出口67亿美元，环比+45%，同比+138%。
• NAND现货涨势近期趋缓（此前环比+100%以上），但SSD产品价格本周环比+40%、环比+60%，因对2H短缺的担忧。
• 芯片制造商ASP动能远强于当前现货价格。
• Semicon Korea（2月11-13日，首尔）参会人数创纪录（500+），包括LAM、东京电子、应用材料、爱德万、ASMPT、KLA等。
• 设备商观点：三星和SK海力士资本支出创新高，是重要客户；HBM制造周期长（TCB设备每台每天仅几片晶圆，50-100k wpm产能需100+台TCB）；HBM混合键合可能延迟（16/20层HBM仍可能用NCF或MR-MUF）；后端设备订单波动大（当前弱，但2H或2027年因HBM4和HBM4e产能爬坡将复苏）；对中国的TCB出口可观（主要用于HBM）。

论述逻辑

报告从存储芯片公司4Q25财报电话会议中提取五大要点（低库存、强ASP、高资本支出、HBM4进展、乐观指引），结合南亚科技总裁评论，确认AI驱动的存储超级周期。随后通过现货价格稳定但原厂ASP强劲、台湾和韩国出口数据超季节性、Semicon Korea设备商反馈等证据，论证存储上行周期仍在持续且动能强于现货市场。最后指出中国智能手机需求疲软是相对风险，但整体芯片出货和ASP趋势向好。

关键展望

• 报告明确提到：若存储短缺持续至2027年，ASP可进一步上涨（南亚科技总裁观点）。
• 2H或2027年后端设备订单将因HBM4和HBM4e（16/20层）产能爬坡而复苏。
• 未明确给出具体时间窗口或目标价。

推荐标的

报告未明确给出推荐标的。

关键图表

Exhibit 1: Memory price broadly stable ahead of lunar new year holidays

Exhibit 2: Low inventory turnover days (e.g., Hynix only 127-day vs 1Q23 peak of 233-day or just 2-3 weeks vs 10+ weeks for finished memory modules)

Exhibit 3: Historical low level in 1Q26; lower than normal (1-2 months)

Exhibit 4: Steep climb in exports in Feb (US$6.7bn; +45% MoM); in fact, around 2x higher than mid-cycle range (US$3bn+/-) or 3-4x higher than downturn level (sub-US$2bn during 2H22-1H23)

Exhibit 5: Significant YoY growth in Feb (+138%) due to low base a year ago; robust rebound well-expected to continue throughout 2026

Exhibit 6: Robust MoM growth led by memory names (Nanya +27%, Phison +20%, Winbond +21%), as well as TSMC (+20%)

Exhibit 7: Solid YoY rebound for most companies, with exceptionally strong growth from memory (Nanya +608%, Phison +189%)