2026-09-28 · 天风证券 · 公司/行业基本面

非金属新材料行业 mSAP：高密度互连升级下的PCB工艺升级

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摘要

报告维持非金属新材料行业强于大市评级，主题为 mSAP 工艺升级。 PCB 正向线路更细、密度更高、可靠性更强方向发展，当线宽/线距压缩到 30μm 以下，传统减成法受蚀刻侧蚀制约、良率明显下滑，半加成法应运而生。 mSAP 以超薄压合铜箔（2–3μm）或减薄至 3–5μm 的铜层为起始基底，起始铜厚约为标准覆铜板（铜箔通常 12–18μm）的六分之一，线宽/线距能力达 15–30μm（量产常见 20–30μm、先进产线可下探到 10μm 左右），虽不及 SAP（5–15μm，ABF 载板量产典型值 10–12μm）精细，但可运行于改造后的常规 PCB 产线，已成为类载板（SLP）、高端 HDI、5G 模块与手机主板的主流选择。工艺升级带动材料与设备体系同步升级：材料端需微薄铜箔、更高洁净度与更低 Z 向热膨胀的层压材料，干膜光刻胶需在工艺窗口内实现优于 40 μm 的分辨率以支撑 60 μm 级线路稳定量产；设备端需引入 LDI 成像、改进型激光钻孔、填孔图形电镀及闪蚀，垂直连续电镀可在有机基板上实现低至 20 μm/20 μm 的线宽线距。应用端，智能手机轻量化、薄型化及电池区域扩大推动主板小型化并带动 mSAP 发展，0.3 mm pitch CSP 焊盘间布 2 根线时需 φ150 μm 过孔焊盘与 30/30 μm 线宽/线距并导入 mSAP；mSAP 还导入汽车电子（车载 ADAS、车载 ECU）与高速光通信，可用于 AI 数据中心高速光收发器、支持 400G 至 1.6T 数据速率并实现低至 18/22 μm 线宽线距。风险提示涵盖下游终端需求、mSAP 渗透率及技术路线迭代三方面。

主要观点

PCB 向线路更细、密度更高、可靠性更强方向发展，线宽/线距压缩到 30μm 以下时传统减成法因蚀刻侧蚀良率明显下滑，半加成法（Semi-Additive Process）应运而生。

半加成法不再靠整面蚀刻减薄成形线路，而是先铺极薄种子铜、电镀加厚、最后只蚀掉种子层；技术路线分 SAP 与 mSAP 两条，二者起点、能力边界和适用场景均有差异。

按线宽/线距分层的工艺选择：≥75 μm 及 50–75 μm 用减成法/半减成法，30–50 μm 已接近减成法良率拐点（半减成法或评估导入 mSAP），20–30 μm 与 15–20 μm 为 mSAP，10–15 μm 及＜10 μm 需采用载板级 SAP 工艺。

SAP 以无铜介质（如 ABF）加化学沉铜 0.5–1.5μm 种子层为起点，线宽/线距能力达 5–15μm（ABF 载板量产典型值 10–12μm），是 IC 载板与先进封装主流工艺，但需 ABF 材料、载板级产线及高洁净度环境，化学铜层与介质的结合力是最大控制难点。

mSAP 改良对象是传统减成法，以超薄压合铜箔（2–3μm）或减薄至 3–5μm 的厚铜为起始基底，相比标准覆铜板（铜箔通常 12–18μm）起始铜厚降到约六分之一；线宽/线距能力 15–30μm（量产常见 20–30μm、先进产线可下探到 10μm 左右），胜在可运行于改造后的常规 PCB 产线、无需 ABF 材料与载板级设备，已成为类载板（SLP）、高端 HDI、5G 模块与手机主板的主流选择。

mSAP 可实现 15μm 线宽/15μm 线距（部分先进产线还能进一步细化），相比传统减成法（30–50μm）显著提升线路密度，且仅需蚀刻约 2–3μm 的较薄种子层，可进一步降低蚀刻量。

材料端升级：mSAP 需采用微薄铜箔，对生产环境洁净度和层压材料尺寸稳定性要求更高，微孔缩小还需更低 Z 向热膨胀的层压材料；干膜光刻胶分辨率通常需比量产线路要求高 10–15 μm，为实现 60 μm 级线路稳定量产，需在工艺窗口内实现优于 40 μm 的分辨率。

材料用量对比（减成法/mSAP/amSAP）：覆铜层厚度 2–9 / 2–5 / ＜3 μm，需蚀刻掉的铜厚 17–29 / 4–10 / ＜3 μm，可实现线宽/线距＞35 / ＞30 / ＞20 μm，mSAP 与 amSAP 均需图形电镀。

设备端升级：线路微细化要求引入 LDI 成像、改进型激光钻孔、填孔图形电镀及闪蚀；垂直连续电镀设备改善电镀一致性与厚度分布，可实现在有机基板上低至 20 μm/20 μm 的线宽线距。

应用端：智能手机轻量化、薄型化及扩大电池区域推动主板小型化；HDI 与 Any-layer PCB 曾推动线宽/线距由约 100 μm 缩小至 40 μm，mSAP 通常可实现约 20 μm 线路结构；2017 年 mSAP 增层首次直接应用于高端 HDI PCB，此后这类 PCB 被称为类载板（SLP）。

0.3 mm pitch CSP 布 1 根线路时，φ180 μm 过孔焊盘+40/40 μm 或 φ150 μm 焊盘+50/50 μm 仍可用传统蚀刻；焊盘间需布 2 根线路时须 φ150 μm 过孔焊盘与 30/30 μm 线宽/线距，并采用能形成矩形线路截面的 mSAP 工艺。

mSAP 应用扩展至汽车电子（车载 ADAS 设备、车载 ECU 及信息通信设备）与高速光通信：可用于 AI 数据中心高速光收发器，支持 400G 至 1.6T 数据速率、实现低至 18/22 μm 线宽线距，面向 1.6T、3.2T 及未来更高速率架构可实现超细线路与更紧凑系统架构。

论述逻辑

终端小型化（智能手机轻量化/薄型化、电池区域扩大、0.3 mm pitch CSP 布线密度提升）→ 线宽/线距由约 100 μm（HDI/Any-layer 时代）缩小至 40 μm、再向约 20 μm 与 30/30 μm 演进 → 30μm 以下传统减成法侧蚀导致良率明显下滑 → 半加成法兴起；mSAP 以超薄压合铜箔（2–3μm）为起始基底、仅需蚀刻约 2–3μm 种子层 → 线宽/线距达 15–30μm（量产常见 20–30μm、先进产线约 10μm）且可改造常规 PCB 产线、无需 ABF 与载板级设备 → 成为 SLP、高端 HDI、5G 模块与手机主板主流选择 → 工艺切换带动材料端（微薄铜箔、低 Z 向热膨胀层压材料、干膜光刻胶分辨率优于 40 μm）与设备端（LDI 成像、改进型激光钻孔、填孔图形电镀、闪蚀、垂直连续电镀）同步升级 → 应用由手机主板扩展至汽车电子与 AI 数据中心 400G 至 1.6T 高速光收发器 → 维持非金属新材料行业强于大市评级。