摩根大通：存储市场更新：SK海力士/闪迪HBF合作及SEMICON Korea 2026要点
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摘要
摩根大通发布存储市场更新报告，聚焦SK海力士（SKH）与闪迪（SNDK）就HBF（高带宽闪存）的全球标准化合作，以及SEMICON Korea 2026会议要点。报告认为HBF在AI推理应用中具有可扩展性和能效优势，将与HBM共存，预计需求在2030年启动。HBF每Gb成本可能是普通SSD NAND的3-4倍（1Q26约10美分/Gb或更高）。报告维持存储行业更长更强上行周期观点，七家存储公司2026年至今股价上涨70%（vs SOX +20%），总市值达2.2万亿美元，前三大存储厂商市值1.4万亿美元，略低于此前1.5万亿美元的合理市值预期。报告认为下一轮增长将来自NAND。
主要观点
- SK海力士与闪迪宣布就HBF（高带宽闪存）开展全球标准化合作，目标AI推理应用。
- SK海力士认为HBF在可扩展性（存储容量）和能效方面具有独特价值，与HBM（主要负责延迟/带宽）不同。
- HBM和HBF将共存，HBF需求预计在2030年启动。
- 该合作表明NAND在AI生态系统中日益重要，可能成为继HBM之后存储市场的下一增长点。
- 学术专家提出两种HBF架构：1）混合GDDR-HBF多GPU架构（Figure 1），例如NVDA ICMS平台中2个GPU搭配48GB GDDR和4TB HBF；2）HBF-GPU-HBM架构（Figure 2），HBF存储长上下文KV-cache，低容量HBM（24GB）计算小LLM参数，总HBM 96GB、HBF 2TB。
- HBF在参数超过一定规模（如文本到图像、视频、语音等）时，在吞吐量（token/s）方面优于HBM。
- 随着LLM参数规模扩大，HBM容量可能不足，HBF可作为替代方案，数据路径类似或更高效。
- 部分专家认为HBF市场可能在10年以上时间范围内超过HBM市场。
- HBF生产面临技术挑战：需要多次TSV和堆叠工艺（增加洁净室空间），以及更厚的NAND晶圆与DRAM晶圆对比、堆叠问题。
- HBF市场TAM预测困难，仍处于概念验证阶段，无具体商业化时间表。
- 考虑到推理级NAND需求（更快读写、更长寿命、更高耐久性、更高带宽），HBF每Gb成本可能是普通SSD NAND的3-4倍或更高（1Q26约10美分/Gb或更高）。
- HBM的晶圆到晶粒损耗概念（HBM3E为1:3，HBM4起更高）可能类似适用于HBF。
- 成功的HBF概念可能延长NAND领域的供需紧张。
- 七家存储公司2026年至今股价上涨70%（vs SOX +20%），总市值2.2万亿美元。
- 前三大存储厂商市值1.4万亿美元（三星为全球第12大市值公司，亚洲仅次于台积电），略低于此前1.5万亿美元的合理市值预期。
- 报告维持存储行业更长更强上行周期观点，认为下一轮增长来自NAND。
论述逻辑
SK海力士与闪迪合作推动HBF标准化 → HBF在AI推理中提供可扩展性和能效，与HBM互补 → 学术专家提出具体架构，显示HBF在参数规模扩大时吞吐量优势 → HBF成本高于普通NAND（3-4倍），但可能缓解NAND供需紧张 → 存储行业上行周期持续，股价已大幅上涨，但仍有空间，下一阶段增长来自NAND。
关键展望
- HBF需求预计在2030年启动，但商业化时间表尚不确定。
- 报告认为存储行业上行周期更长更强，下一轮增长来自NAND。
- 报告未明确给出具体时间窗口或价格目标。
推荐标的
报告未明确给出推荐标的，但覆盖了多家存储相关公司（见分析师覆盖列表），包括：LG Corp、LG Display、LG Electronics、LG Innotek、Leeno Industrial、Nanya Technology、SK IE Technology、SK Inc、SK hynix、SKC、Samsung C&T、Samsung Electro-Mechanics、Samsung Electronics、Samsung SDS。报告未对这些公司给出具体评级或目标价。
关键图表
Figure 1: GDDR-HBF Mem architecture with multi-GPU
Figure 2: HBF for XPU - HBF-GPU-HBM Architecture
Figure 3: HBF for LLM inference
Figure 4: Global memory makers’ share price performance, including SOX (Philadelphia Semiconductor index)