华福证券 激光行业深度系列报告：激光芯片系光通信价值核心，CW+硅光或成下一代主流

摘要

光通信芯片作为光模块光电转换的核心载体，在产业链中占据核心价值，其成本在光模块中占比达30%至60%，随着向800G、1.6T乃至3.2T演进，该占比有望超过60%甚至70%。 速率升级推动技术持续迭代，硅光技术可大幅降低光模块成本与功耗，CW-DFB外置连续波光源与硅光结合已成为适配AI高速光互联及CPO架构的最优方案。 全球光芯片市场规模从2021年的135亿元增至2025年的328亿元，预计2030年将攀升至2336亿元，2025至2030年复合年增速达48.1%；同期中国市场预计从79亿元扩容至643亿元。 由于光芯片扩产周期长达1至1.5年，且海外龙头产能利用率已超90%，2026至2027年行业供需失衡将成为常态并伴随显著价格上行压力。 在此背景下，国内厂商在CW光源与100G/200G高速芯片领域加速实现技术突破与客户导入，迎来全面国产替代的黄金发展窗口期。

主要观点

• 光芯片是光模块实现光电转换的核心引擎，在更高速率模块中成本占比将超过60%甚至70%。

• 硅光技术配合外置CW连续波激光器可有效解决通道增加带来的功耗与尺寸难题，成为高速互联的最优解。

• InP基激光芯片覆盖1310nm与1550nm低损耗和零色散窗口，DFB与EML主导中长距离高速通信。

• 单通道400G光芯片有望引领下一代技术演进，单波速率提升能显著减少光通道数量与系统复杂度。

• 硅光子是CPO光电共封装的必然选择，而NPO架构凭借系统级可维护性成为近期确定性最高的AI互联路径。

• 全球及中国光芯片市场在AI驱动下保持高速增长，预计2030年全球规模达到2336亿元人民币。

• 2025年全球激光器芯片市场呈现梯队分化，海外厂商占据主导，源杰科技位列全球第六。

• 光芯片扩产周期达1至1.5年且海外产能利用率超90%，2026-2027年行业供需失衡将为国内厂商带来黄金导入窗口期。

论述逻辑

• AI智算中心算力集群扩张与大模型训练需求爆发，推动光模块速率加速向800G、1.6T及3.2T快速迭代。

• 高速率下传统多物理通道方案面临功耗、尺寸和系统成本瓶颈，催生对单波速率提升及硅光+外置CW光源架构的刚性需求。

• 由于外延生长等光芯片制造环节技术壁垒高、扩产周期长达1~1.5年，而海外大厂产能利用率超90%几无弹性，导致2026-2027年面临严重供需失衡与涨价压力。

• 供需缺口倒逼海内外客户加速供应链多元化认证，国内具备IDM全流程能力的自主光芯片企业迎来技术突破与份额提升的黄金窗口。

关键展望

• 2026-2027年全球光芯片行业将处于常态化供需失衡状态，产品面临显著的价格上行压力。

• 全球光芯片市场规模预计将由2025年的328亿元增长至2030年的2336亿元，2025至2030年复合年增长率为48.1%。

• 中国光芯片市场规模预计将由2025年的79亿元增长至2030年的643亿元人民币，自2025年起的复合年增速为52.2%。

• 3.2T模块研发提速，但单通道400G面临DSP先进工艺制程被AI芯片占用至2027年及激光器COD等技术挑战。

• 行业面临技术升级迭代风险、新产品研发及商业化失败风险，以及核心人才流失和技术泄密风险。

推荐标的

• 源杰科技（688498.SH）：国内领先的光芯片供应商，具备从芯片设计到晶圆测试封装的IDM全流程能力，产品涵盖2.5G至50G磷化铟激光器芯片，向数通市场协同拓展。

• 长光华芯（688048.SH）：全球少数研发和量产高功率半导体激光器芯片的企业，具备完整工艺平台，正逐步推进高功率巴条与光通信芯片国产化。

• 仕佳光子（688313.SH）：具备无源和有源双芯片平台优势，建立IDM全流程业务体系，产品涵盖PLC分路器、AWG及DFB激光器芯片。

• 光迅科技（002281.SZ）：国内光通信器件龙头，具备光电子芯片、器件、模块及子系统全产业链量产能力，拥有自主PLC、DFB、EML、VCSEL芯片技术平台。

• 炬光科技（688167.SH）：全球高功率半导体激光元器件及光学元器件有影响力的供应商，重点布局光通信与泛半导体制程等领域。

• 东山精密（002384.SZ）：旗下索尔思光电具备EML芯片与光模块一体化制造能力，已实现100G和200G光芯片的大规模量产。

• 三安光电（600703.SH）：旗下泉州三安推出横跨GaAs和InP两大材料体系的最新一代光芯片平台，布局特种封装、衬底材料与光通信全产业链。

• 永鼎股份（600105.SH）：旗下鼎芯光电覆盖“芯片—光器件—MPO”全产业链体系，拥有国内稀缺的IDM模式激光器晶圆制造产线。