2026-07-27 · Morgan Stanley · 公司/行业基本面

摩根士丹利：大摩——大中华区半导体：传统存储短期走势分化

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摘要

摩根士丹利认为，近期围绕存储周期的讨论、云服务提供商（CSP）自由现金流的担忧以及中国A股存储仓位调整，导致传统存储股票估值回落，但公司看到DDR4价格涨幅更强，且利基闪存定价能力在3Q26达到前所未有的水平。根据TrendForce数据，3Q26主流DRAM混合价格预计环比上涨13-18%，其中PC DDR5上涨15-20%，服务器DDR5上涨13-18%，移动LPDDR5(X)上涨8-13%，NAND上涨10-15%。然而，公司认为传统存储（DDR4、SLC/MLC NAND、NOR）的涨价幅度可能更大，预计DDR4月度价格在3Q26上涨20%以上，季度环比至少30%；SLC/MLC NAND季度环比上涨50-60%，NOR闪存上涨30-40%。兆易创新发布公告提示利基存储产品未来价格可能大幅下跌，但公司认为这是长期趋势而非近期风险，因为DDR4、SLC/MLC NAND和NOR存在结构性供应缺口。下行支撑方面，兆易创新股价已从6月29日峰值840元人民币回调45.6%，而旺宏、南亚科、华邦电分别交易在2028年预期每股账面价值的1.5倍、1.2倍和1.2倍，1.0倍历史上是强支撑位。

主要观点

近期存储周期辩论、CSP自由现金流担忧以及中国A股存储仓位调整导致传统存储股票估值下调，但公司看到DDR4价格涨幅更强，且利基闪存定价能力在3Q26达到前所未有的水平。

根据TrendForce数据，3Q26主流DRAM混合价格预计环比上涨13-18%，其中PC DDR5上涨15-20%，服务器DDR5上涨13-18%，移动LPDDR5(X)上涨8-13%，NAND上涨10-15%。

TrendForce预计4Q26常规DRAM价格环比上涨3-8%，NAND上涨0-5%，这些增速低于部分投资者此前预期。

公司认为DDR4在3Q26可能继续月度涨价，CSP愿意接受更高价格，甚至可能签订1-2年（仅数量）的长期协议，预计月度价格涨幅20%以上，季度环比至少30%。

公司继续预计3Q26 SLC/MLC NAND价格环比上涨50-60%，NOR闪存价格环比上涨30-40%。

兆易创新发布公告提示利基存储产品未来价格可能大幅下跌，但公司认为这是长期趋势而非近期风险，因为DDR4、SLC/MLC NAND和NOR存在结构性供应缺口。

兆易创新股价已从6月29日峰值840元人民币回调45.6%，提供一定估值支撑。

旺宏、南亚科、华邦电分别交易在2028年预期每股账面价值的1.5倍、1.2倍和1.2倍，1.0倍历史上是强支撑位。

Exhibit 1显示，3Q26E新预测中，PC DRAM DDR4环比上涨15-20%，DDR5上涨15-20%，服务器DDR4上涨13-18%，DDR5上涨13-18%，移动LPDDR4X上涨8-13%，LPDDR5(X)上涨8-13%，图形GDDR6上涨15-20%，GDDR7上涨15-20%，消费DDR3上涨35-40%，DDR4上涨28-33%，总DRAM上涨13-18%，HBM混合上涨8-13%。