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AI Agent驱动算力新周期与自主可控再加速

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摘要

华泰证券维持科技与电子行业"增持"评级,认为2026年AI产业正从大模型预训练切换至AI Agent商业化落地,推理算力需求进入加速增长通道。 报告看好三条主线:AI链方面,国产算力闭环加速形成,2026年3月国内Token日均调用量已超140万亿次,DeepSeek-V4上线当日即实现与寒武纪、华为昇腾等国产芯片Day 0适配,2025年中国AI加速芯片市场英伟达以55.2%份额主导、华为海思占20.4%。 功率与被动元件方面,AI服务器功耗驱动TLVR耦合电感单颗价值量从0.5美元向1-2.5美元跃升,MLCC全产业链进入涨价通道、超级周期有望延续至2027年,AI牛角电容ASP从传统10元级别大幅提升。 自主可控方面,2026年全球半导体制造设备总销售额预计达1659亿美元(同比增长23.2%),零部件国产化率仅7.1%,国产替代空间广阔。 存储端,2H26合约价预计延续上行,2026年全球存储产值预计达8893亿美元(同比增长296%),国内OSAT厂2.5D产能2026年起规模投放。 端侧方面,2027年iPhone 20周年有望迎来硬件创新集中释放周期。 重点推荐中芯国际(981 HK,买入,目标价100港币)、寒武纪(688256 CH,买入,目标价1663.60元)、中微公司(688012 CH,买入,目标价472.54元)。

主要观点

  • AI Agent商业化落地驱动推理算力进入加速增长阶段,Token调用量出现明显加速拐点
  • 国产大模型与国产算力形成Day 0适配闭环,国产AI芯片替代持续加速
  • 2025年中国AI加速芯片市场英伟达占据主导,华为海思份额领先但短期供给格局相对分散
  • 存储端2H26合约价延续上行,全球存储产值预计大幅增长
  • 超节点Scale Up网络驱动交换芯片用量显著增长,PCB向高端化升级,CoWoP方案预计2028年后推出
  • TLVR耦合电感单颗价值量大幅跃升,垂直供电有望于2H26上量
  • MLCC全产业链进入涨价通道,海外高端产能挤占效应凸显,超级周期有望延续至2027年
  • AI牛角电容ASP从传统10元级别大幅提升,供给端产能切换存在刚性缺口
  • 全球半导体设备行业进入加速上行周期,中国大陆连续稳居全球第一
  • 半导体设备零部件国产化率仅7.1%,真空阀、静电卡盘、EFEM等低国产化率环节有望持续突破
  • 玻璃基板远期趋势明确,2028年量产开始快速扩张
  • 国内OSAT厂2.5D封装产能2026年起进入规模投放期,先进封装盈利拐点逐渐兑现

论述逻辑

  • AI产业从大模型预训练切换至Agent商业化落地 → Token调用量指数级增长(2026年3月日均超140万亿次)→ 推理算力需求加速 → 国产AI芯片替代加速(DeepSeek-V4 Day 0适配)
  • 推理算力需求增长 → 超节点互联驱动交换芯片/PCB/CCL高端化升级 → 存储需求爆发(高容量内存+企业级SSD)→ 合约价2H26延续上行
  • AI服务器单柜功率持续攀升(从100kW级向300kW/600kW/1MW+演进)→ 被动元件与功率半导体量价齐升(MLCC超级周期、TLVR电感价值量跃升、牛角电容ASP提升)
  • AI制造挤占传统产能 → 成熟制程ASP提升(中芯/华虹逐季回升)→ 全球设备需求上修 → 本土厂商凭交期优势承接外溢订单 → 上游零部件国产替代加速
  • 2027年后国产AI芯片供给能力有望进一步改善,市场格局有望向'强者恒强'靠拢

关键展望

  • 2H26存储合约价延续上行,供给缺口短期难以补足
  • MLCC超级周期有望延续至2027年
  • 垂直供电TLVR有望于2H26上量
  • 2027年iPhone 20周年有望迎来硬件创新集中释放周期
  • 2H26英伟达和ASIC新一代平台走向量产将推动高端CCL升级进展更为明确
  • 全球半导体设备增长势头预计持续至2028年,总销售额有望达2295亿美元
  • 玻璃基板预计2028年开始量产,2028-2040年市场CAGR达67.2%
  • 台积电CoPoS或将在2028年量产

推荐标的

  • 中芯国际(981 HK):买入,目标价100港币(前值91港币)。作为中国最大晶圆代工企业,AI需求外溢推动成熟工艺ASP进入结构性上行周期,公司具有完备工艺平台储备有望充分受益。A 股目标价人民币 182 元(前值:170 元)
  • 寒武纪(688256 CH):买入,目标价1663.60元(前值1679.4元)。稳坐国产AI芯片第一梯队,Token调用量加速拐点下核心受益,维持40倍27E PE估值
  • 中微公司(688012 CH):买入,目标价472.54元。刻蚀设备国产替代空间广阔,受益全球半导体设备加速上行周期

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