摩根大通 南亚科技（2408.TW）第三季度符合预期：新台币计价传统DRAM供应紧张；预计到2030年AI销售占比达40 50%且长协覆盖率超50%；超配

摘要

摩根大通在南亚科技3Q26法说后维持超配评级，目标价NT$850.00（Jun-27），现价NT$527.00（10月12日）。 3Q26营收NT$133,649百万，环比+61.9%、同比+611.7%，毛利率86%、OPM 80%为所有存储供应商中最高，EPS NT$25.40；营收略低于摩根大通预估2%，差异主要在定价（实际接近mid-to-high 60% vs 预估超70%）及4-5%位元出货下滑。 管理层三大核心信息为：整体与DDR4市场供需失衡延续至明年（DDR4占总DRAM需求12-14% vs 南亚bit份额仅LSD%）、未来3-4年AI基础设施与服务器运算销售占比目标40-50%、双位数%ASP环比增长与80% GPM可能短期延续。 DDR4与LPDDR4合计占3Q26收入60%以上，ASP涨幅超一半来自新LTA谈判，叠加行业因HBM晶圆分配上调而下修B/G生产计划，摩根大通预计4Q26E及明年DRAM定价环境保持有利。 4Q26指引出货平淡（隐含B/G约<5%下滑），收入预计中个位数%至双位数%或更高增长（JPMe环比+13%）。 公司相对低的多年期LTA覆盖率使其在宗商品存储领域具备更强盈利增长弹性；NYT过去3个月股价+21%，存储同行-17%，TWSE/SOX为+9%/-3%，在更长更高上行周期论点下继续建议投资者累积。

主要观点

• 3Q26业绩符合预期、4Q26展望轨迹稳健：营收NT$133,649百万（环比+61.9%、同比+611.7%），毛利率86%，OPM 80%为所有存储供应商中最高，新台币GAAP EPS NT$25.40；营收略低于摩根大通预估，差异在定价与4-5%位元出货下滑及汇率助力。

• 管理层三大核心信息：整体与DDR4市场供需失衡/短缺延续至明年；未来3-4年AI基础设施与服务器运算销售占比目标40-50%；双位数%ASP环比增长动能与80% GPM可能短期延续。

• DDR4供需缺口显著：DDR4占总DRAM市场需求12-14%，而南亚bit份额仅LSD%，供需缺口今天及可预见未来持续；2025年底行业开始EOL DDR4/LPD4时该需求曾占总市场30%，比例在下降但相对南亚产能仍然很大。

• 4Q26指引出货平淡：隐含4Q26 B/G约<5%下滑（相对于<20%的2026E年度B/G计划），未给出具体价格区间；按管理层双位数%ASP增长说法，同货币口径下4Q26收入预计中个位数%至双位数%或更高增长（JPMe：环比+13%）。

• 3Q26 ASP涨幅超一半来自新LTA价格重新谈判（同口径涨价不到50%）；叠加DRAM行业近期因HBM晶圆分配上调而下修B/G生产计划，摩根大通预计4Q26E及明年整体DRAM定价环境保持有利。

• 收入结构以传统DRAM为主：DDR4与LPDDR4合计占3Q26收入60%以上，DDR5占10%（主要为PC），旧制程<30%；Q&A披露出货中20%为晶圆、80%为器件或模组。

• AI与服务器组合目标明确：NYT计划到29/30年将AI基础设施业务占比从20%提升至40%/50%，服务器组合提升40-50%，新增产能用于AI基础设施/客户；已有超过1家客户就AI相关WoW（Wafer on Wafer）键合项目合作，应用覆盖云端运算、边缘运算与物理AI。

• 长协机制：目前LTA占比在50-70%区间（期限从季度到3年），合同占产出20%；公司计划按客户需求增加LTA，客户积极争取更长期供应，新合同将讨论底价/顶价；报告标题预计2030E长协覆盖率超50%。

• 资本开支与股东回报并行：未来设备采购capex可达US$16bn（一座50Kwfpm晶圆厂含建设/洁净室/设备/EUV等）；屏东新厂长期capex至多US$10bn、设备2H28搬入、主要面向AI应用客户需求；公司维持固定股息政策，在capex与股息之间平衡。

• 相对表现突出并维持超配：NYT过去3个月股价+21%，存储同行-17%，TWSE/SOX为+9%/-3%；在更长更高上行周期论点下继续建议投资者累积，并预计3Q26业绩后共识盈利继续上修。

论述逻辑

• 3Q26营收NT$133,649百万、OPM 80%（所有存储供应商中最高）验证涨价周期成色 → 管理层展望释放三大信号：整体与DDR4供需缺口延续至明年（DDR4占总需求12-14% vs 南亚份额仅LSD%）、3-4年内AI基础设施与服务器运算销售占比目标40-50%、双位数%ASP环比增长与80% GPM可短期延续 → 行业因HBM晶圆分配上调下修B/G生产计划，4Q26E与明年定价环境有利 → 公司多年期LTA覆盖率相对低、重定价空间更大，在宗商品存储领域盈利增长弹性优于同业 → 预计3Q26业绩后共识盈利继续上修 → 在更长更高上行周期论点下维持超配、目标价NT$850.00（Jun-27）。

关键展望

• 4Q26验证点：出货平淡（隐含B/G约<5%下滑）配合双位数%ASP增长潜力，收入同货币口径下中个位数%至双位数%或更高增长（JPMe：环比+13%）。

• 3Q实现60%+环比涨价后，管理层预计双位数%ASP增长与80%以上OPM动能延续，但未指明确切时限（摩根大通认为更可能指向4Q26而非2027）。

• DDR4/LPDDR4紧张持续至2027E：12月当季市场短缺持续、ASP逐步改善；明年情况取决于各应用短缺是否延续，明年HBM定价谈判即将完成并将影响传统DRAM供应分配。

• 27E B/G指引：未来几个季度出货持平直至2H27E。

• 中长期目标：到29/30年AI基础设施业务占比从20%升至40%/50%、服务器组合提升40-50%、2030E长协覆盖率超50%；屏东新厂设备2H28搬入。

• 风险与分化：高端产品维持高位定价，低端面临de-spec或使用回收件；针对Global Foundry晶圆涨价，公司称有多家晶圆供应商，且设备/材料/建筑/人工成本也在上升。

推荐标的

• 南亚科技（Nanya Technology, 2408.TW）：Overweight（超配），目标价NT$850.00（Jun-27），现价NT$527.00（2026年10月12日）；理由：供需失衡延续、AI销售占比与LTA覆盖率提升路径清晰、共识盈利预计上修。

• 评级路径：摩根大通于2026年7月3日上调至OW（当时股价NT$407.00、目标价NT$710），2026年8月9日目标价进一步上调至NT$850（当时股价NT$457.00）；此前评级经历N/UW/N的多次切换。

• 同一分析师覆盖范围还包括：LG Corp (003550.KS)、LG Display (034220.KS)、LG Electronics (066570.KS)、LG Innotek (011070.KS)、SK Inc (034730.KS)、SK hynix (000660.KS)、SK hynix ADR (SKHY)、SKC (011790.KS)、Samsung C&T (028260.KS)、Samsung Electro-Mechanics (009150.KS)、Samsung Electronics (005930.KS)。

关键图表

图1. 全球存储器制造商股价表现（含费城半导体指数）