美国银行：美银 全球存储技术周报主题：三星第三季度业绩、全球预测更新、去投机化影响

摘要

本报告确认了存储器超级周期的持续性，三星电子初步三季度营业利润达107万亿韩元，符合预期。 尽管市场担忧去投机化（de-spec）影响，但分析认为这反而可能成为增长催化剂，因其支持GPU出货量增长并带动SOCAMM和eSSD需求。 美银上调了NAND ASP假设，预计2030年全球存储市场规模将达2.1万亿美元。 此外，存储器资本支出持续上升，预计2027-28年年度自由现金流将超过300万亿韩元。

主要观点

• 三星电子三季度业绩确认了存储器超级周期，DRAM和NAND贡献了超过100%的营业利润。

• 三星存储器ASP环比增长超过20%，营业利润率保持在70%左右的高位。

• 全球存储市场规模预计将从2026年的约0.9万亿美元增长至2030年的2.1万亿美元。

• 存储器资本支出预计将持续增加，2026/27/28年分别为67万亿/85万亿/92万亿韩元。

• 去投机化（8-hi HBM4）被视为增长催化剂，而非需求削减，因其有助于提升GPU出货量。

• 美银存储指标（BofA Memory Indicator）仍处于超级周期水平，8月为179。

论述逻辑

• 三星强劲的业绩与高利润率 -> 存储器超级周期得到验证 -> 资本支出增加与自由现金流增长 -> 支撑长期需求 -> 尽管存在去投机化担忧，但通过GPU出货量提升和配套存储需求抵消 -> 最终上调全球存储市场预测。

关键展望

• 预计三星四季度营业利润将高于三季度，且2027年将高于2026年。

• 预计2027-28年年度自由现金流将超过300万亿韩元。

推荐标的

• 三星电子（普通股）：目标价500,000韩元，评级C-1-7。

• 三星电子（优先股）：目标价340,000韩元，评级C-1-7。

关键图表

图1. 我们对2026-28年NAND收入预期的上调（上调3-49%）主要基于对2026年第三季度平均售价（ASP）更强的假设（环比增长20%，此前为15%）；DRAM预测未作调整，因我们此前已假设2026年下半年ASP将稳健增长

图2. 2026年第三季度增长依然强劲（860亿新台币；环比增长27%，同比增长375%）

图3. 9月同比增长强劲（+263%），且强劲趋势可能在2026年第四季度持续

图4. NAND现货价格在7月至8月回升后，于9月及10月初走软

图5. DRAM现货和合约价格达到约48-55美元的历史高点，在经历大幅上涨后，2026年第二至第三季度的涨幅有所放缓

图6. DRAM现货价格在6月至9月期间逐渐反弹，达到历史最高水平

图7. 10月初价格保持平稳，但在9月初触顶后下跌了10%，价格仍比2025年10月的低点高出2000%

图8. 9月价格在6月至8月反弹后基本持平；价格在2025年10月至12月经历了大幅上涨

图9. DRAM和NAND合约价格年初至今整体上涨100-200%

图10. 年初至今基本稳定——中国供应占主导地位，韩国供应极少

图11. 英特尔和AMD等CPU公司表现优于英伟达、苹果、高通等其他美国大型科技公司