Intel：从前端供电到背面供电：Intel 18A BS-PDN技术全解析

原标题：Backside Power Enabling Energy Efficient Performance on Advanced Node Designs

介绍

从前端供电到背面供电：Intel 18A BS-PDN技术全解析

🔷当晶体管微缩逼近物理极限，供电网络成为先进制程的新瓶颈

🔷Intel 18A通过BS-PDN重构芯片供电架构，实现性能、功耗与面积同步优化

过去几年，谈到先进制程，行业关注的焦点几乎都集中在EUV光刻、GAA晶体管以及2nm节点竞争上。

但当我深入研究英特尔这份报告后发现，一个正在改变未来芯片设计规则的关键技术，或许并不是晶体管本身，而是供电网络。

长期以来，芯片设计一直面临一个看似简单却越来越棘手的问题：晶体管性能不断提升，但电源却越来越难送达。随着晶体管密度持续增加，传统前端供电网络（FS-PDN）逐渐成为先进制程发展的隐形瓶颈，IR Drop、布线拥塞、功耗损失以及时钟分布难题开始不断侵蚀晶体管带来的性能收益。

也正是在这样的背景下，背面供电网络（Backside Power Delivery Network，BS-PDN）应运而生。通过将供电网络从晶圆正面迁移至背面，电源与信号首次实现真正意义上的“分层管理”，不仅释放了宝贵的布线资源，更为性能提升、功耗优化和面积缩减打开了新的空间。作为Intel 18A平台的核心创新之一，BS-PDN正在从一项工艺技术演变为未来先进逻辑制造的新基础架构。

今天，小编就带大家一起深入解析背面供电技术背后的设计逻辑，看看英特尔是如何通过重构芯片供电体系，实现IR Drop降低10倍、性能提升18%以上，并推动先进制程竞争从“晶体管时代”迈向“系统架构时代”的。

关键图表

报告未提供可裁切的关键图表。